Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 23.77kr | 29.71kr |
5 - 9 | 22.58kr | 28.23kr |
10 - 24 | 21.39kr | 26.74kr |
25 - 49 | 20.20kr | 25.25kr |
50 - 60 | 19.73kr | 24.66kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 23.77kr | 29.71kr |
5 - 9 | 22.58kr | 28.23kr |
10 - 24 | 21.39kr | 26.74kr |
25 - 49 | 20.20kr | 25.25kr |
50 - 60 | 19.73kr | 24.66kr |
N-kanal transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V - FDB8447L. N-kanal transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.0087 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263AB. Spænding Vds (maks.): 40V. C (i): 1970pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 28 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 07:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.