N-kanal transistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP19N10

N-kanal transistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP19N10. N-kanal transistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.078 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 600pF. Omkostninger): 165pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 78 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 76A. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 10:25.