N-kanal transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C

N-kanal transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C. N-kanal transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.57 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 1290pF. Omkostninger): 120pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 56W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Spec info: Lav portladning (typisk 40nC), Lav Crss 10pF. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 10:25.