N-kanal transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C

N-kanal transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C. N-kanal transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.29 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 1580pF. Omkostninger): 135pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 690 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. GS-beskyttelse: NINCS. Produktionsdato: 201432. Id(imp): 32A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 59W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 65 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 25/07/2025, 16:25.