N-kanal transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V - GT35J321

N-kanal transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V - GT35J321. N-kanal transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Hus: TO-3P( N )IS. Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. CE-diode: ja . Kanaltype: N. Funktion: High Power Switching applikationer. Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 37A. Ic (puls): 100A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: Isoleret gate bipolær transistor (IGBT). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Mætningsspænding VCE (sat): 1.9V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Port/emitter spænding VGE: 25V. Originalt produkt fra producenten Toshiba. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 22:25.