N-kanal transistor, 20A, TO-247 , TO-247-3, 1350V - IHW20N135R3

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	44.36kr	55.45kr
2 - 2	42.14kr	52.68kr
3 - 4	39.92kr	49.90kr
5 - 9	37.70kr	47.13kr
10 - 19	36.82kr	46.03kr
20 - 23	35.93kr	44.91kr

Antal	U.P
1 - 1	44.36kr	55.45kr
2 - 2	42.14kr	52.68kr
3 - 4	39.92kr	49.90kr
5 - 9	37.70kr	47.13kr
10 - 19	36.82kr	46.03kr
20 - 23	35.93kr	44.91kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 23

Sæt med 1

N-kanal transistor, 20A, TO-247 , TO-247-3, 1350V - IHW20N135R3. N-kanal transistor, 20A, TO-247 , TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1350V. C (i): 1500pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Funktion: Inductive?cooking. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 60A. Mærkning på kabinettet: H20R1353. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 405 ns. Td(on): 335 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 13:25.

Teknisk dokumentation