N-kanal transistor, 40A, TO-247 , TO-247N, 1200V - IKW40N120H3

N-kanal transistor, 40A, TO-247 , TO-247N, 1200V - IKW40N120H3. N-kanal transistor, 40A, TO-247 , TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247N. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. C (i): 2330pF. Omkostninger): 185pF. CE-diode: ja . Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Funktion: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 80A. Ic (puls): 180A. Mærkning på kabinettet: K40H1203. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 483W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 290 ns. Td(on): 30 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.05V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.8V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 02:25.