N-kanal transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-08

N-kanal transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-08. N-kanal transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 6.5m Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 2860pF. Omkostninger): 740pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificeret. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Mærkning på kabinettet: 2N0608. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 215W. RoHS: ja . Spec info: Ultra lav modstandsdygtighed. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 32 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 01:25.