N-kanal transistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V - IPD034N06N3GATMA1

N-kanal transistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V - IPD034N06N3GATMA1. N-kanal transistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 2.8m Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 8000pF. Omkostninger): 1700pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. IDss (min): 0.01uA. Mærkning på kabinettet: 034N06N. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 167W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 63 ns. Td(on): 38 ns. Teknologi: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 13:25.