Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

N-kanal transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - IRF1404S

N-kanal transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - IRF1404S
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 36.19kr 45.24kr
5 - 9 34.38kr 42.98kr
10 - 15 32.57kr 40.71kr
Antal U.P
1 - 4 36.19kr 45.24kr
5 - 9 34.38kr 42.98kr
10 - 15 32.57kr 40.71kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 15
Sæt med 1

N-kanal transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - IRF1404S. N-kanal transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 2.7M Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 40V. C (i): 4340pF. Omkostninger): 1030pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 220W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 36ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 17:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.