N-kanal transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF

N-kanal transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF. N-kanal transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.0037 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 4780pF. Omkostninger): 770pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 600A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. RoHS: ja . Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 48 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 03:25.