N-kanal transistor, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	15.10kr	18.88kr
5 - 9	14.34kr	17.93kr
10 - 24	13.59kr	16.99kr
25 - 49	12.83kr	16.04kr
50 - 99	11.68kr	14.60kr
100 - 249	11.39kr	14.24kr
250 - 496	10.83kr	13.54kr

Antal	U.P
1 - 4	15.10kr	18.88kr
5 - 9	14.34kr	17.93kr
10 - 24	13.59kr	16.99kr
25 - 49	12.83kr	16.04kr
50 - 99	11.68kr	14.60kr
100 - 249	11.39kr	14.24kr
250 - 496	10.83kr	13.54kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 496

Sæt med 1

N-kanal transistor, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205. N-kanal transistor, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 3247pF. Omkostninger): 781pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Avanceret procesteknologi . Id(imp): 390A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 17:25.

Teknisk dokumentation