N-kanal transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	15.00kr	18.75kr
5 - 9	14.25kr	17.81kr
10 - 24	13.50kr	16.88kr
25 - 49	12.75kr	15.94kr
50 - 99	12.45kr	15.56kr
100 - 115	11.25kr	14.06kr

Antal	U.P
1 - 4	15.00kr	18.75kr
5 - 9	14.25kr	17.81kr
10 - 24	13.50kr	16.88kr
25 - 49	12.75kr	15.94kr
50 - 99	12.45kr	15.56kr
100 - 115	11.25kr	14.06kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 115

Sæt med 1

N-kanal transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S. N-kanal transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (maks.): 250nA. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 3247pF. Omkostninger): 781pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Avanceret procesteknologi . Id(imp): 390A. IDss (min): 25nA. Ækvivalenter: IRF3205SPBF. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 50 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 17:25.

Teknisk dokumentation