N-kanal transistor, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRF3315

N-kanal transistor, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRF3315. N-kanal transistor, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.07 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 150V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 174 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 108A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 136W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten International Rectifier. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 07:25.