N-kanal transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	10.10kr	12.63kr
5 - 9	9.59kr	11.99kr
10 - 24	9.09kr	11.36kr
25 - 49	8.58kr	10.73kr
50 - 99	8.38kr	10.48kr
100 - 249	7.71kr	9.64kr
250 - 326	7.33kr	9.16kr

Antal	U.P
1 - 4	10.10kr	12.63kr
5 - 9	9.59kr	11.99kr
10 - 24	9.09kr	11.36kr
25 - 49	8.58kr	10.73kr
50 - 99	8.38kr	10.48kr
100 - 249	7.71kr	9.64kr
250 - 326	7.33kr	9.16kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 326

Sæt med 1

N-kanal transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N. N-kanal transistor, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.044 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 1960pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 115 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 39 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 22:25.

Teknisk dokumentation