N-kanal transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630

N-kanal transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630. N-kanal transistor, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. On-resistance Rds On: 0.35 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 50uA. RoHS: ja . Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 12 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: MESH OVERLAY MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. C (i): 540pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højstrømsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 26/07/2025, 12:25.