N-kanal transistor, 200V, TO220 - IRF640NPBF

N-kanal transistor, 200V, TO220 - IRF640NPBF. N-kanal transistor, 200V, TO220. Vdss (Dræn til kildespænding): 200V. Hus: TO220. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Serie: ja . Polaritet: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 18A. Kør spænding: 10V. RDS ON (MAX) @ ID, VGS: Gennemgående hulmontering af printkort . VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, Max @ VGS): IRF640NPBF. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Driftstemperatur: 0.15 Ohms @ 11A. Monteringstype: THT. Funktioner: 23 ns. Information: 1160pF. MSL: 150W. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 25/07/2025, 14:25.