N-kanal transistor, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413

N-kanal transistor, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413. N-kanal transistor, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 25uA. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 1600pF. Omkostninger): 680pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 58A. IDss (min): 12uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 01:25.