N-kanal transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	26.00kr	32.50kr
5 - 9	24.70kr	30.88kr
10 - 24	23.40kr	29.25kr
25 - 49	22.10kr	27.63kr
50 - 99	21.58kr	26.98kr
100 - 249	21.06kr	26.33kr
250+	20.28kr	25.35kr

Antal	U.P
1 - 4	26.00kr	32.50kr
5 - 9	24.70kr	30.88kr
10 - 24	23.40kr	29.25kr
25 - 49	22.10kr	27.63kr
50 - 99	21.58kr	26.98kr
100 - 249	21.06kr	26.33kr
250+	20.28kr	25.35kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Udsolgt

Sæt med 1

N-kanal transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N. N-kanal transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 4220pF. Omkostninger): 580pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: FB260N. Pd (Strømafledning, maks.) ): 380W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 52 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: SMPS, Højfrekvente DC-DC omformere. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation