N-kanal transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N

N-kanal transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N. N-kanal transistor, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 4220pF. Omkostninger): 580pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: SMPS, Højfrekvente DC-DC omformere. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: FB260N. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 380W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 52 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten International Rectifier. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 17:25.