N-kanal transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206

N-kanal transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFB3206. N-kanal transistor, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 2.4M Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 6540pF. Omkostninger): 720pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger. Id(imp): 840A. IDss (min): 20uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 02:25.