N-kanal transistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA - IRFB4110PBF

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	49.82kr	62.28kr
2 - 2	47.33kr	59.16kr
3 - 4	45.84kr	57.30kr
5 - 9	44.84kr	56.05kr
10 - 19	43.85kr	54.81kr
20 - 29	42.35kr	52.94kr
30 - 63	40.86kr	51.08kr

Antal	U.P
1 - 1	49.82kr	62.28kr
2 - 2	47.33kr	59.16kr
3 - 4	45.84kr	57.30kr
5 - 9	44.84kr	56.05kr
10 - 19	43.85kr	54.81kr
20 - 29	42.35kr	52.94kr
30 - 63	40.86kr	51.08kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 63

Sæt med 1

N-kanal transistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA - IRFB4110PBF. N-kanal transistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA. On-resistance Rds On: 3.7m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maks.): 250uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 370W. RoHS: ja . Vægt: 1.99g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 78 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. C (i): 9620pF. Omkostninger): 670pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP Switch. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 26/07/2025, 14:25.

Teknisk dokumentation

N-kanal transistor, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA - IRFB4110PBF

Vi anbefaler også :

Køleplader

Monteringstilbehør til transistorer

Termisk fedt

Vi anbefaler også :