N-kanal transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	47.75kr	59.69kr
2 - 2	45.36kr	56.70kr
3 - 4	44.41kr	55.51kr
5 - 9	42.97kr	53.71kr
10 - 19	42.02kr	52.53kr
20 - 29	40.59kr	50.74kr
30 - 76	39.15kr	48.94kr

Antal	U.P
1 - 1	47.75kr	59.69kr
2 - 2	45.36kr	56.70kr
3 - 4	44.41kr	55.51kr
5 - 9	42.97kr	53.71kr
10 - 19	42.02kr	52.53kr
20 - 29	40.59kr	50.74kr
30 - 76	39.15kr	48.94kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 76

Sæt med 1

N-kanal transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF. N-kanal transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3.7m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 9620pF. Omkostninger): 670pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP Switch. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 670A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 370W. RoHS: ja . Vægt: 1.99g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 78 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 17:25.

Teknisk dokumentation

N-kanal transistor, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4110PBF

Vi anbefaler også :

Køleplader

Monteringstilbehør til transistorer

Termisk fedt

Vi anbefaler også :