Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 49.82kr | 62.28kr |
2 - 2 | 47.33kr | 59.16kr |
3 - 4 | 45.84kr | 57.30kr |
5 - 9 | 44.84kr | 56.05kr |
10 - 19 | 43.85kr | 54.81kr |
20 - 29 | 42.35kr | 52.94kr |
30 - 78 | 40.86kr | 51.08kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 49.82kr | 62.28kr |
2 - 2 | 47.33kr | 59.16kr |
3 - 4 | 45.84kr | 57.30kr |
5 - 9 | 44.84kr | 56.05kr |
10 - 19 | 43.85kr | 54.81kr |
20 - 29 | 42.35kr | 52.94kr |
30 - 78 | 40.86kr | 51.08kr |
N-kanal transistor, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4115. N-kanal transistor, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.0093 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 150V. C (i): 5270pF. Omkostninger): 490pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 86 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 420A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 380W. RoHS: ja . Vægt: 1.99g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 18 ns. Td(on): 41 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 17:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.