N-kanal transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4228

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	38.53kr	48.16kr
2 - 2	36.60kr	45.75kr
3 - 4	35.45kr	44.31kr
5 - 9	34.68kr	43.35kr
10 - 19	33.90kr	42.38kr
20 - 29	32.75kr	40.94kr
30 - 40	31.59kr	39.49kr

Antal	U.P
1 - 1	38.53kr	48.16kr
2 - 2	36.60kr	45.75kr
3 - 4	35.45kr	44.31kr
5 - 9	34.68kr	43.35kr
10 - 19	33.90kr	42.38kr
20 - 29	32.75kr	40.94kr
30 - 40	31.59kr	39.49kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 40

Sæt med 1

N-kanal transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4228. N-kanal transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 12m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 150V. C (i): 4530pF. Omkostninger): 550pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP Switch. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 330A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 24 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten International Rectifier. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 17:25.

Teknisk dokumentation

N-kanal transistor, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V - IRFB4228

Vi anbefaler også :

Køleplader

Monteringstilbehør til transistorer

Termisk fedt

Vi anbefaler også :