N-kanal transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRFB7444PBF

N-kanal transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRFB7444PBF. N-kanal transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 2M Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 40V. C (i): 4730pF. Omkostninger): 680pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: BLDC motordrev applikationer, batteridrevne kredsløb, DC/DC og AC/DC konvertere. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 770A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 143W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 115 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3.9V. Vgs (th) min.: 2.2V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 09/06/2025, 18:25.