N-kanal transistor, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD210

N-kanal transistor, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD210. N-kanal transistor, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): DH-1 house, DIP-4. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 140pF. Omkostninger): 53pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 06:25.