N-kanal transistor, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL4105PBF

$[TITLE]$

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	8.84kr	11.05kr
5 - 9	8.40kr	10.50kr
10 - 24	7.95kr	9.94kr
25 - 49	6.23kr	7.79kr
50 - 99	6.08kr	7.60kr
100 - 249	5.94kr	7.43kr
250 - 359	5.88kr	7.35kr

Antal	U.P
1 - 4	8.84kr	11.05kr
5 - 9	8.40kr	10.50kr
10 - 24	7.95kr	9.94kr
25 - 49	6.23kr	7.79kr
50 - 99	6.08kr	7.60kr
100 - 249	5.94kr	7.43kr
250 - 359	5.88kr	7.35kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 359

Sæt med 1

N-kanal transistor, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL4105PBF. N-kanal transistor, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.045 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 55V. RoHS: ja . C (i): 660pF. Omkostninger): 230pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 30A. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 11:25.

Teknisk dokumentation