Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

N-kanal transistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 800V - IRFPE50

N-kanal transistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms,  TO-247 , TO-247AC, 800V - IRFPE50
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 35.33kr 44.16kr
5 - 9 33.57kr 41.96kr
10 - 24 31.80kr 39.75kr
25 - 49 30.03kr 37.54kr
50 - 99 29.33kr 36.66kr
100 - 127 25.44kr 31.80kr
Antal U.P
1 - 4 35.33kr 44.16kr
5 - 9 33.57kr 41.96kr
10 - 24 31.80kr 39.75kr
25 - 49 30.03kr 37.54kr
50 - 99 29.33kr 36.66kr
100 - 127 25.44kr 31.80kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 127
Sæt med 1

N-kanal transistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 800V - IRFPE50. N-kanal transistor, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 3100pF. Omkostninger): 800pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 31A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 120ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 16:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.