Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 7.60kr | 9.50kr |
5 - 9 | 7.22kr | 9.03kr |
10 - 24 | 6.84kr | 8.55kr |
25 - 49 | 6.46kr | 8.08kr |
50 - 99 | 6.31kr | 7.89kr |
100 - 107 | 5.53kr | 6.91kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 7.60kr | 9.50kr |
5 - 9 | 7.22kr | 9.03kr |
10 - 24 | 6.84kr | 8.55kr |
25 - 49 | 6.46kr | 8.08kr |
50 - 99 | 6.31kr | 7.89kr |
100 - 107 | 5.53kr | 6.91kr |
N-kanal transistor, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR3910. N-kanal transistor, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.115 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252AA. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 640pF. Omkostninger): 160pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 37 ns. Td(on): 6.4 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 20:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.