Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 10.73kr | 13.41kr |
5 - 9 | 10.19kr | 12.74kr |
10 - 24 | 9.65kr | 12.06kr |
25 - 49 | 9.12kr | 11.40kr |
50 - 99 | 8.90kr | 11.13kr |
100 - 249 | 8.20kr | 10.25kr |
250 - 272 | 7.79kr | 9.74kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 10.73kr | 13.41kr |
5 - 9 | 10.19kr | 12.74kr |
10 - 24 | 9.65kr | 12.06kr |
25 - 49 | 9.12kr | 11.40kr |
50 - 99 | 8.90kr | 11.13kr |
100 - 249 | 8.20kr | 10.25kr |
250 - 272 | 7.79kr | 9.74kr |
N-kanal transistor, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - IRFRC20. N-kanal transistor, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 4.4 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 350pF. Omkostninger): 48pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 8A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 42W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 20:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.