N-kanal transistor, 14A, TO-263, 400V - IRGS14C40LPBF
| Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 53.53kr | 66.91kr |
| 2 - 2 | 50.86kr | 63.58kr |
| 3 - 4 | 49.25kr | 61.56kr |
| 5 - 9 | 48.18kr | 60.23kr |
| 10 - 19 | 47.11kr | 58.89kr |
| 20 - 29 | 45.50kr | 56.88kr |
| 30+ | 43.90kr | 54.88kr |
| Antal | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 53.53kr | 66.91kr |
| 2 - 2 | 50.86kr | 63.58kr |
| 3 - 4 | 49.25kr | 61.56kr |
| 5 - 9 | 48.18kr | 60.23kr |
| 10 - 19 | 47.11kr | 58.89kr |
| 20 - 29 | 45.50kr | 56.88kr |
| 30+ | 43.90kr | 54.88kr |
N-kanal transistor, 14A, TO-263, 400V - IRGS14C40LPBF. N-kanal transistor, 14A, TO-263, 400V. Ic(T=100°C): 14A. Hus (i henhold til datablad): TO-263. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. C (i): 825pF. Omkostninger): 150pF. CE-diode: ja . Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 20A. bemærk: > 6KV ESD Gate Protection. Mærkning på kabinettet: GS14C40L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 208W. RoHS: ja . Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 1.3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 2.2V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 12/06/2025, 13:25.
Vi anbefaler også :
Vi anbefaler også :
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.