Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 14.96kr | 18.70kr |
5 - 9 | 14.21kr | 17.76kr |
10 - 24 | 13.76kr | 17.20kr |
25 - 49 | 13.46kr | 16.83kr |
50 - 99 | 13.16kr | 16.45kr |
100 - 249 | 11.86kr | 14.83kr |
250 - 781 | 11.44kr | 14.30kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 14.96kr | 18.70kr |
5 - 9 | 14.21kr | 17.76kr |
10 - 24 | 13.76kr | 17.20kr |
25 - 49 | 13.46kr | 16.83kr |
50 - 99 | 13.16kr | 16.45kr |
100 - 249 | 11.86kr | 14.83kr |
250 - 781 | 11.44kr | 14.30kr |
N-kanal transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRL540NS. N-kanal transistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.044 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 1800pF. Omkostninger): 350pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. RoHS: ja . Td(fra): 39 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 25/07/2025, 16:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.