N-kanal transistor, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRLB1304PTPBF

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	40.03kr	50.04kr
2 - 2	38.03kr	47.54kr
3 - 4	36.03kr	45.04kr
5 - 9	34.03kr	42.54kr
10 - 19	33.23kr	41.54kr
20 - 29	32.43kr	40.54kr
30 - 81	31.23kr	39.04kr

Antal	U.P
1 - 1	40.03kr	50.04kr
2 - 2	38.03kr	47.54kr
3 - 4	36.03kr	45.04kr
5 - 9	34.03kr	42.54kr
10 - 19	33.23kr	41.54kr
20 - 29	32.43kr	40.54kr
30 - 81	31.23kr	39.04kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 81

Sæt med 1

N-kanal transistor, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRLB1304PTPBF. N-kanal transistor, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.004 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 40V. C (i): 7660pF. Omkostninger): 2150pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. Id(imp): 740A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 21 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) min.: 1V. Teknologi: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk niveaustyret. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 24/04/2025, 04:25.