N-kanal transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 9	2.03kr	2.54kr
10 - 24	1.92kr	2.40kr
25 - 49	1.82kr	2.28kr
50 - 99	1.72kr	2.15kr
100 - 249	1.62kr	2.03kr
250 - 499	1.52kr	1.90kr
500 - 1348	1.42kr	1.78kr

Antal	U.P
1 - 9	2.03kr	2.54kr
10 - 24	1.92kr	2.40kr
25 - 49	1.82kr	2.28kr
50 - 99	1.72kr	2.15kr
100 - 249	1.62kr	2.03kr
250 - 499	1.52kr	1.90kr
500 - 1348	1.42kr	1.78kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 1348

Sæt med 1

N-kanal transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502. N-kanal transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (maks.): 25uA. On-resistance Rds On: 0.035 Ohms. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spænding Vds (maks.): 20V. C (i): 740pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Vgs (th) min.: 0.6V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 24/04/2025, 04:25.

Teknisk dokumentation