N-kanal transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502

N-kanal transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502. N-kanal transistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (maks.): 25uA. On-resistance Rds On: 0.035 Ohms. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spænding Vds (maks.): 20V. C (i): 740pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Vgs (th) min.: 0.6V. Originalt produkt fra producenten International Rectifier. Antal på lager opdateret den 13/06/2025, 13:25.