N-kanal transistor, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V - IXFA130N10T2

N-kanal transistor, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V - IXFA130N10T2. N-kanal transistor, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. ID (T=25°C): 130A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 0.01 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 6600pF. Omkostninger): 640pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 360W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 24 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten IXYS. Antal på lager opdateret den 14/06/2025, 06:25.