Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 36.40kr | 45.50kr |
5 - 9 | 34.58kr | 43.23kr |
10 - 24 | 33.49kr | 41.86kr |
25 - 49 | 32.03kr | 40.04kr |
50 - 99 | 30.94kr | 38.68kr |
100+ | 29.85kr | 37.31kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 36.40kr | 45.50kr |
5 - 9 | 34.58kr | 43.23kr |
10 - 24 | 33.49kr | 41.86kr |
25 - 49 | 32.03kr | 40.04kr |
50 - 99 | 30.94kr | 38.68kr |
100+ | 29.85kr | 37.31kr |
N-kanal transistor, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V - Q67040-S4420. N-kanal transistor, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 2.7M Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 650V. C (i): 200pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 5.4A. IDss (min): 0.5uA. Mærkning på kabinettet: 02N60C3. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 45 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 09:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.