N-kanal transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - RFP12N10L

N-kanal transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - RFP12N10L. N-kanal transistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 900pF. Omkostninger): 325pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: F12N10L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: MegaFET process, Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+155°C. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 09:25.