N-kanal transistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY

N-kanal transistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY. N-kanal transistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (maks.): 20uA. On-resistance Rds On: 0.026 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 80V. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 40Ap. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten Vishay. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 09:25.