N-kanal transistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY

N-kanal transistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY. N-kanal transistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (maks.): 5uA. On-resistance Rds On: 0.0074 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 40V. C (i): 2000pF. Omkostninger): 260pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 25 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten Vishay. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 09:25.