N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3
| Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.80kr | 6.00kr |
| 5 - 9 | 4.56kr | 5.70kr |
| 10 - 24 | 4.41kr | 5.51kr |
| 25 - 49 | 4.32kr | 5.40kr |
| 50 - 99 | 4.22kr | 5.28kr |
| 100 - 249 | 3.30kr | 4.13kr |
| 250 - 2358 | 3.19kr | 3.99kr |
| Antal | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.80kr | 6.00kr |
| 5 - 9 | 4.56kr | 5.70kr |
| 10 - 24 | 4.41kr | 5.51kr |
| 25 - 49 | 4.32kr | 5.40kr |
| 50 - 99 | 4.22kr | 5.28kr |
| 100 - 249 | 3.30kr | 4.13kr |
| 250 - 2358 | 3.19kr | 3.99kr |
N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A - SI9410BDY-E3. N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. Hus (JEDEC-standard): TO-263AB. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Producentens mærkning: SI9410BDY-E3. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Originalt produkt fra producenten Vishay (siliconix). Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 09:25.
Vi anbefaler også :
Vi anbefaler også :
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.