Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 15.18kr | 18.98kr |
5 - 9 | 14.42kr | 18.03kr |
10 - 24 | 13.96kr | 17.45kr |
25 - 49 | 13.66kr | 17.08kr |
50 - 89 | 13.36kr | 16.70kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 15.18kr | 18.98kr |
5 - 9 | 14.42kr | 18.03kr |
10 - 24 | 13.96kr | 17.45kr |
25 - 49 | 13.66kr | 17.08kr |
50 - 89 | 13.36kr | 16.70kr |
N-kanal transistor, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v - SIR474DP. N-kanal transistor, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.0075 Ohms. Hus: PowerPAK SO-8. Hus (i henhold til datablad): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 985pF. Omkostninger): 205pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 14 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højsideswitch . GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 196k Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 29.8W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 19 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten Vishay. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 08:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.