Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 664.43kr | 830.54kr |
2 - 2 | 631.21kr | 789.01kr |
3 - 4 | 617.92kr | 772.40kr |
5 - 9 | 604.63kr | 755.79kr |
10 - 14 | 597.99kr | 747.49kr |
15 - 19 | 591.35kr | 739.19kr |
20+ | 584.70kr | 730.88kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 664.43kr | 830.54kr |
2 - 2 | 631.21kr | 789.01kr |
3 - 4 | 617.92kr | 772.40kr |
5 - 9 | 604.63kr | 755.79kr |
10 - 14 | 597.99kr | 747.49kr |
15 - 19 | 591.35kr | 739.19kr |
20+ | 584.70kr | 730.88kr |
N-kanal transistor, 90A, Andre, Andre, 600V - SKM100GAL123D. N-kanal transistor, 90A, Andre, Andre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 5000pF. Omkostninger): 720pF. CE-diode: ja . Kanaltype: N. Funktion: High Power IGBT. Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 100A. Ic (puls): 150A. bemærk: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Antal terminaler: 7. RoHS: ja . Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(fra): 450 ns. Td(on): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. Originalt produkt fra producenten Semikron. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 09:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.