Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 8.53kr | 10.66kr |
5 - 9 | 8.10kr | 10.13kr |
10 - 24 | 7.84kr | 9.80kr |
25 - 49 | 7.67kr | 9.59kr |
50 - 99 | 7.50kr | 9.38kr |
100 - 249 | 7.25kr | 9.06kr |
250 - 455 | 6.99kr | 8.74kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 8.53kr | 10.66kr |
5 - 9 | 8.10kr | 10.13kr |
10 - 24 | 7.84kr | 9.80kr |
25 - 49 | 7.67kr | 9.59kr |
50 - 99 | 7.50kr | 9.38kr |
100 - 249 | 7.25kr | 9.06kr |
250 - 455 | 6.99kr | 8.74kr |
N-kanal transistor, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V - SPD09N05. N-kanal transistor, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.093 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 215pF. Omkostninger): 75pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: dv/dt vurderet forbedringstilstand. Id(imp): 37A. IDss (min): 0.1uA. Mærkning på kabinettet: SPD09N05. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 24W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 19:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.