Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 18.09kr | 22.61kr |
5 - 9 | 17.19kr | 21.49kr |
10 - 24 | 16.65kr | 20.81kr |
25 - 49 | 16.28kr | 20.35kr |
50 - 99 | 15.92kr | 19.90kr |
100 - 249 | 15.38kr | 19.23kr |
250+ | 14.84kr | 18.55kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 18.09kr | 22.61kr |
5 - 9 | 17.19kr | 21.49kr |
10 - 24 | 16.65kr | 20.81kr |
25 - 49 | 16.28kr | 20.35kr |
50 - 99 | 15.92kr | 19.90kr |
100 - 249 | 15.38kr | 19.23kr |
250+ | 14.84kr | 18.55kr |
N-kanal transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V - SPI07N60C3. N-kanal transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Hus: TO-262 ( I2-PAK ). Hus (i henhold til datablad): TO-262. Spænding Vds (maks.): 650V. C (i): 16pF. Omkostninger): 30pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ekstrem dv/dt vurderet høj spidsstrømskapacitet . GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. Mærkning på kabinettet: 07N60C3. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 60 ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: Cool MOS™ Power Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 19:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.