N-kanal transistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V - STB12NM50ND

N-kanal transistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V - STB12NM50ND. N-kanal transistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.29 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 550V. C (i): 850pF. Omkostninger): 48pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: B12NM50ND. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (med hurtig diode). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 40 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: FDmesh™ II Power MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 17:25.