Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 28.65kr | 35.81kr |
5 - 9 | 27.22kr | 34.03kr |
10 - 24 | 26.36kr | 32.95kr |
25 - 47 | 25.79kr | 32.24kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 28.65kr | 35.81kr |
5 - 9 | 27.22kr | 34.03kr |
10 - 24 | 26.36kr | 32.95kr |
25 - 47 | 25.79kr | 32.24kr |
N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP26NM60N. N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.135 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1800pF. Omkostninger): 115pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: skifte kredsløb. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 26NM60N. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. RoHS: ja . Spec info: Lav indgangskapacitans og gateopladning. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 13 ns. Td(on): 85 ns. Teknologi: MDmesh PpwerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 16/06/2025, 05:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.