N-kanal transistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247 , TO-247 , 800V - STW12NK80Z

N-kanal transistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247 , TO-247 , 800V - STW12NK80Z. N-kanal transistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247 , TO-247 , 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 0.65 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 2620pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Forbedret ESD-kapacitet. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 42A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W12NK80Z. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja . Spec info: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: SuperMESH™ power MOSFET transistor beskyttet af zenerdiode. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 25/07/2025, 15:25.