NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA (isoleret). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 7A, 600V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 10A, 600V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA (isoleret). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V

NPN transistor, 3.5A, 600V. Kollektorstrøm: 3.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 2A, 700V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Max hFE-forstærkning: 15. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 17A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.1A, 160V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/SL. bemærk: hFE 100...200. Type transistor: NPN. Spec info: 2SD1609-C

NPN transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 140. Ic (puls): 4A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1123S. Mærkning på kabinettet: DF. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan siliciumtransistor . tf (maks.): 30 ns. tf (min): 30 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD-kode DF. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. bemærk: hFE 200...400. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Type transistor: NPN. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD-kode DF, komplementær transistor (par) 2SB1123T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 140. Ic (puls): 6A. Mærkning på kabinettet: DG. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksiale plane siliciumtransistorer . tf (maks.): 35 ns. tf (min): 35 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD-kode DG

NPN transistor, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO PCP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: høj jævnstrøm, relædrivere, lampedrivere. Max hFE-forstærkning: 4000. Minimum hFE-forstærkning: 3000. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: DI. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafi/SMD-kode DI, komplementær transistor (par) 2SB1126. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, 30 v. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. bemærk: hFE 3000...4000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. Type transistor: NPN. Funktion: Høj jævnstrøm, relædrivere, spændingsreguleringskontrol. Spec info: serigrafi/SMD-kode DJ

NPN transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO--PCP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD kode DK, hFE 120...200

NPN transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO--PCP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 180. Id(imp): 8A. Mærkning på kabinettet: DK. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD kode DK

NPN transistor, 3.5A, 800V. Kollektorstrøm: 3.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 5A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 6A, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: bipolær transistor. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: DAQ. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan type . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode DAQ

NPN transistor, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 70. Id(imp): 12A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1135. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN transistor, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 70. Id(imp): 15A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1136. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 2A, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

NPN transistor, 3A, TO-220FP, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, 160V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1186A