NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Omkostninger): 200pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 130V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 230. Minimum hFE-forstærkning: 60. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 70V

NPN transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: NPN. Spec info: erstatte

NPN transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: NPN. Spec info: erstatte

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB892. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SD1279. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 600V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , M37/J, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: M37/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W

NPN transistor, 8A, 120V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: 2.32k Ohms. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Konditioneringsenhed: 30. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused Planar . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 7V

NPN transistor, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz

NPN transistor, 5A, TO-247 , TO-247 , 600V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms

NPN transistor, PCB-lodning , M46/J, 6A, 600V. Hus: PCB-lodning . Hus: M46/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1500V/600V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 80W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 80W. driftstemperaturområde min (°C): NPN. driftstemperaturområde maks (°C): 1500V

NPN transistor, 6A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 7A, 600V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, PCB-lodning , M31/J, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1.5 kV. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: NPN

NPN transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, 600V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, PCB-lodning , M31/J, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1500V/600V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: NPN. driftstemperaturområde min (°C): 600V

NPN transistor, PCB-lodning , M37/J, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: M37/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: Darlington NPN-transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W

NPN transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, 1500V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. Spec info: isoleret