NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC560C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Hus: TO-92. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus (i henhold til datablad): TO-92 3L (Ammo Pack). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 9pF. Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Ic (puls): +150°C. Ækvivalenter: BC550CG, BC550CBU. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC560C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. C (i): 50pF. Omkostninger): 7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Planær epitaksial transistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. C (i): 50pF. Omkostninger): 7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 1A, TO-92, 80V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC639. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC640

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC640-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. C (i): 50pF. Omkostninger): 7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC640-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC639-16. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.83W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC639-16. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.83W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 100V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.8W

NPN transistor, 100V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.8W

NPN transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6As. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6As

NPN transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6A

NPN transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Omkostninger): 3pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6B. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Omkostninger): 10pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 630. Minimum hFE-forstærkning: 250. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Omkostninger): 3pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 250. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): TO-236AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. C (i): 11pF. Omkostninger): 2pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Mærkning på kabinettet: 1B. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 1B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor