NPN bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SC-70, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SC-70. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Mærkning på kabinettet: 8AC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 250mV. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 600mV. Vebo: 6V. Spec info: SMD 8AC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Omkostninger): 1.5pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 110. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 1E. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.09V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 1E. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: serigrafi/SMD-kode 1F

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1F. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1F. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-363 ( SC-88 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-363. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: DUAL NPN & PNP. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 13. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP & NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 6. Spec info: serigrafi/SMD-kode 13. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SC-88, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SC-88. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): SOT-363. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 13. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.22W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: par NPN- og PNP-transistorer

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Omkostninger): 4.5pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 250. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.225W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: serigrafi/SMD-kode 1G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: serigrafi/SMD-kode 1K

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1Ls. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1L. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SC-70, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SC-70. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): SOT-323. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 2G

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Omkostninger): 22pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Max hFE-forstærkning: 375. Minimum hFE-forstærkning: 85. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: CAC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 32V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode CAC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Omkostninger): 22pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Max hFE-forstærkning: 375. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: CDC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 32V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode CDC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , TSSOP6, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: TSSOP6. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 6. Producentens mærkning: M1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: par NPN- og PNP-transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 1.5A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-261. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP54/16. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCP51-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS